，其性能指標同NEC
、philips同類產(chǎn)品相同。
參數(shù)
類別：NPN-硅通用高頻低噪聲寬帶NPN晶體管
集電極-發(fā)射極電壓VCEO：15V
集電極-基極電壓VCBO:20V
發(fā)射極-基極電壓VEBO:1.5V
集電極直流電流IC:100mA
總耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW
工作結(jié)溫Tj:150℃
貯存溫度Tstg:-65~150℃
封裝形式：SOT-23
功率特性：中功率
極性：NPN型
結(jié)構(gòu)：擴散型
材料：硅(Si)
封裝材料：塑料封裝
性能參數(shù)
擊穿電壓:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=1.5V
直流放大系數(shù)hFE: 60～250 @VCE=6V,IC=5mA
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)
發(fā)射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)
特征頻率fT:8.0GHz@ VCE=6V,IC=5mA
集電極允許電流IC：0.1（A）
集電極最大允許耗散功率PT：0.5（W）
功率增益GUM：14dB@IC=5mA,VCE=6V,f=1GHz
噪聲系數(shù)NF：1.3dB@IC=5mA,VCE=6V,f=1GHz
反饋電容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz
。
